Η Samsung προετοιμάζεται να διπλασιάσει την παραγωγή των čιπών HBM4 και HBM4E
Πρωτότυπος τίτλος: "Samsung is expected to more than double output of its HBM4 and HBM4E DRAM" (από giuliomagnifico)
Η Samsung αναμένεται να αυξήσει την εξαγωγή των χαψής εύρους μνήμης HBM4 και HBM4E περισσότερο από το διπλάσιο το επόμενο έτος, αυξάνοντας την χρήση γυαλινών φορέων 2,5‑πλασιά. Η συνολική παραγωγή wafer θα φτάσει στα ~250 χιλιάδες ανά μήνα, ενώ το μέρος της οικογένειας HBM4 θα ανέβει από 40% σε 80% του総输出.
Ενίσχυση της παραγωγής HBM4/HBM4E
Η Samsung Electronics προετοιμάζεται να αυξήσει σημαντικά την παραγωγή των χαψής εύρους μνήμης HBM4 και HBM4E το επόμενο έτος. Σύμφωνα με αναλυτές του τομέα, η εξαγωγή wafer θα αυξηθεί από περίπου 180 χιλιάδες σε 250 χιλιάδες ανά μήνα, což αντιστοιχεί σε αύξηση πλησιέστερα στο 40%.
Ο ρόλος των γυαλινών φορέων
Οι γυαλίνα φέρετρα είναι κρίσιμα για τη διεργάdiluting των wafer κατά την παραγωγή HBM, επιτρέποντας την stacking πολλών στρώσεων χωρίς τorsion ή cracking. Η Samsung θα αυξήσει την εξωτερική καθαριότητα αυτών των φερέτρων από 20.000 σε 50.000 φύλλα/μήνα, αυξάνοντας την κίνηση 2,5‑πλασιά.
Επιπτώσεις στην αλυσίδα προμήθειας AI
Η αυξημένη διαθεσιμότητα HBM4/HBM4E θα ενισχύσει τους επεξεργαστές AI, ειδικά των GPU που απαιτούν υψηλή băng宽 μνήμη. Η Nvidia, ως ένας από τους πρώτους πελάτες που έλαβε δείγματα HBM4E, θα μπορούσε να ενσωματώσει τα νέα čιπάκια στην επόμενη γενιά των accelerators της.
Προοπτικές αγοράς και συνεργασιών
Με την αναμενόμενη αύξηση του μέρους της οικογένειας HBM4 από 40% σε 80% του総输出, η Samsung θέτ себя ως κεντρικός παροχέας υψηλής προσ añad valore μνήμης για το ecosystem του AI. Η συνεργασία με εταιρείες όπως η Nvidia και πιθανά další cloud providers θα μπορούσε να ορίσει νέα πρότυπα απόδοσης nei data centers του 2027.